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  • 型号: BSF024N03LT3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BSF024N03LT3 G产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSF024N03LT3_G_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30432239cccd012282adaadf7bc8

产品图片

产品型号

BSF024N03LT3 G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5500pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

71nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

MG-WDSON-2,CanPAK M™

其它名称

BSF024N03LT3 GCT

功率-最大值

2.2W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

3-WDSON

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Ta), 106A (Tc)

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