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BSF024N03LT3 G产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSF024N03LT3_G_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30432239cccd012282adaadf7bc8 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BSF024N03LT3 G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5500pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 20A,10V |
| 供应商器件封装 | MG-WDSON-2,CanPAK M™ |
| 其它名称 | BSF024N03LT3 GCT |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-WDSON |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Ta), 106A (Tc) |